Polarisationseffekte in Gruppe-(III)-Nitriden

Neuartige p-2DHG-Kanal GaN/InGaN/GaN HEMT Strukturen als auch Mikroelektromechanische GaN und AlGaN/GaN Sensorstrukturen (MEMS) wurden unter Ausnutzung der spontanen und piezoelektrischen Polarisation in Gruppe-(III)-Nitriden entwickelt und charakterisiert. Niederohmige ohmsche p-Typ Kontakte bestehend aus Au/Ni/Au oder NiPd/Au konnten ein 2DHG in einer rein polarisationsdotierten InGaN/GaN Heterostruktur kontaktieren. 2DHG-Kanal HEMTs wurden temperaturabhängig charakterisiert und CV- als auch H ...